LSG50R160HT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: LSG50R160HT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 34.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 46.3 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для LSG50R160HT
LSG50R160HT Datasheet (PDF)
lsd50r160ht lsg50r160ht lsh50r160ht lsf50r160ht lse50r160ht.pdf

LSD50R160HT/LSG50R160HT/LSH50R160HT/LSF50R160HT/LSE50R160HTLonFETLonten N-channel 500V, 20A, 0.16 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 550VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.16DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 60ADMespecially suitable for applications which r
Другие MOSFET... LSF65R380HT , LSF65R570GT , LSF70R380GT , LSF70R450GT , LSF70R640GT , LSF80R350GT , LSF80R680GT , LSF80R980GT , IRLZ44N , LSG60R1K4HT , LSG60R240HT , LSG60R280HT , LSG60R290HF , LSG60R2K5HT , LSG60R380HT , LSG60R650HT , LSG60R950HT .
History: 8N60G-TA3-T | BSB280N15NZ3G | DH060N03R | OSS60R099JF | LSGG04R028 | SSM3J35CT | OSS60R099KF
History: 8N60G-TA3-T | BSB280N15NZ3G | DH060N03R | OSS60R099JF | LSGG04R028 | SSM3J35CT | OSS60R099KF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735