AO4803-MS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AO4803-MS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
Encapsulados: SOP8
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AO4803-MS datasheet
ao4803-ms.pdf
www.msksemi.com AO4803-MS Semiconductor Compiance Product Summary SOP-8 VDS -30V I (at V =-10V) -5A D GS R (at V =-10V)
ao4803.pdf
AO4803 30V Dual P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V The AO4803 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is ID (at VGS=-10V) -5A suitable for use as a load switch or in PWM applications. RDS(ON) (at VGS=-10V)
ao4803a.pdf
AO4803A 30V Dual P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V The AO4803A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This ID (at VGS=-10V) -5A device is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON) (at VGS=-10V)
ao4803.pdf
SMD Type MOSFET Dual P-Channel MOSFET AO4803 (KO4803) SOP-8 Unit mm Features VDS (V) = -30V ID = -5 A (VGS = -10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 52m (VGS = -10V) RDS(ON) 87m (VGS = -4.5V) 1 S2 5 D1 6 D1 2 G2 7 D2 3 S1 8 D2 4 G1 D D D D G1 G2 G1 G2 S1 S2 S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Volt
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