MEM4N60A3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MEM4N60A3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 33 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 15.6 nC
Tiempo de subida (tr): 13.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 92.1 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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MEM4N60A3G Datasheet (PDF)
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MEM4N60 N-CHANNEL POWER MOSFET MEM4N60 General Description Features 600V4A Switching regulator application. RDS(ON)=2.3@VGS=10V High voltage and high speed. LOW CRSS Switching application. FAST SWITCHING PACKAGE :TO251,TO251S,TO252,TO-220F Pin Configuration MEM4N60THDG MEM4N60THG MEM4N60K3G MEM4N60A3G Maximum Ratings (Ta=25) P
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