Справочник MOSFET. MEM4N60A3G

 

MEM4N60A3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MEM4N60A3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92.1 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для MEM4N60A3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEM4N60A3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:722K  microne
 mem4n60thdg mem4n60thg mem4n60k3g mem4n60a3g.pdf pdf_icon

MEM4N60A3G

MEM4N60 N-CHANNEL POWER MOSFET MEM4N60 General Description Features 600V4A Switching regulator application. RDS(ON)=2.3@VGS=10V High voltage and high speed. LOW CRSS Switching application. FAST SWITCHING PACKAGE :TO251,TO251S,TO252,TO-220F Pin Configuration MEM4N60THDG MEM4N60THG MEM4N60K3G MEM4N60A3G Maximum Ratings (Ta=25) P

Другие MOSFET... MEM2309S , MEM2310M3 , MEM2310X , MEM2313 , MEM2402 , MEM4N60THDG , MEM4N60THG , MEM4N60K3G , AO3401 , MIC94052 , MIC94053 , TN0106 , TN0110 , TN0604 , TN0702 , TN2106K1-G , TN2106N3-G .

History: IRFS4620 | AOY2610E | FTK7002D | ME4454-G | IPD60R400CE | OSG60R099JF | BLP032N06-Q

 

 
Back to Top

 


 
.