TN2106N3-G Todos los transistores

 

TN2106N3-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TN2106N3-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TN2106N3-G Datasheet (PDF)

 8.1. Size:716K  supertex
 tn2106.pdf pdf_icon

TN2106N3-G

Supertex inc. TN2106N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This low threshold, enhancement-mode (normally-off) Low power drive requirement transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs Ease of paralleling well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low CISS and fast switching spe

 9.1. Size:178K  ixys
 ixtn210p10t.pdf pdf_icon

TN2106N3-G

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = -100VIXTN210P10TPower MOSFET ID25 = - 210A RDS(on) 7.5m trr 200nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierminiBLOCE153432SGSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C -100 VDVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

Otros transistores... MEM4N60A3G , MIC94052 , MIC94053 , TN0106 , TN0110 , TN0604 , TN0702 , TN2106K1-G , STP65NF06 , TN2524 , TP2104K1 , TP2104N3 , TP2435 , 2N7002KWA , 2SK3019A , BSS138A , BSS138AKDW .

 

 
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