TN2524 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TN2524  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 240 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm

Encapsulados: SOT89

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de TN2524 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TN2524 datasheet

 ..1. Size:604K  supertex
 tn2524.pdf pdf_icon

TN2524

Supertex inc. TN2524 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Low threshold (2.0V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off) High input impedance transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s Low input capacitance (125pF max.) well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Fast switching speeds com

 9.1. Size:362K  supertex
 tn2529.pdf pdf_icon

TN2524

TN2529 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description The Supertex TN2529 is a low threshold enhancement- Low threshold (2.0V max.) mode transistor that utilizes an advanced vertical High input impedance DMOS structure and Supertex s well-proven silicon-gate Low input capacitance (125pF max.) manufacturing process. This combination produces

Otros transistores... MIC94052, MIC94053, TN0106, TN0110, TN0604, TN0702, TN2106K1-G, TN2106N3-G, IRF830, TP2104K1, TP2104N3, TP2435, 2N7002KWA, 2SK3019A, BSS138A, BSS138AKDW, BSS84A