TN2524 Todos los transistores

 

TN2524 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TN2524
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 240 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
     - Selección de transistores por parámetros

 

TN2524 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:604K  supertex
 tn2524.pdf pdf_icon

TN2524

Supertex inc. TN2524N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold (2.0V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off) High input impedance transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs Low input capacitance (125pF max.) well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Fast switching speeds com

 9.1. Size:362K  supertex
 tn2529.pdf pdf_icon

TN2524

TN2529N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeaturesGeneral DescriptionThe Supertex TN2529 is a low threshold enhancement- Low threshold (2.0V max.)mode transistor that utilizes an advanced vertical High input impedanceDMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate Low input capacitance (125pF max.)manufacturing process. This combination produces

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History: AONX36320 | PHD55N03LTA | CSD17575Q3 | IXFM13N80 | 2SK1925 | 2SK2826-ZJ | FQD10N20LTM

 

 
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