MCAC20N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MCAC20N15
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5060
Búsqueda de reemplazo de MCAC20N15 MOSFET
MCAC20N15 Datasheet (PDF)
mcac20n15.pdf

MCAC20N15Electrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 150 VIGSS VDS=0V, VGS =25VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=120V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 AVGS(th) VDS=VGS, ID=250AGate-Threshold Voltage 2
Otros transistores... 2N7002KWA , 2SK3019A , BSS138A , BSS138AKDW , BSS84A , BSS84KW , MCAC10H03 , MCAC16N03 , 5N50 , MCAC30N06Y , MCAC40N10YA , MCAC50N06Y , MCAC50N10Y , MCAC60N08Y , MCAC75N02 , MCAC80N045Y , MCB160N10Y .
History: BSC050N03MS | 2SK2276 | APT18M100S | INJ0001AU1 | IXFA80N25X3 | CEM6659 | QS8J13
History: BSC050N03MS | 2SK2276 | APT18M100S | INJ0001AU1 | IXFA80N25X3 | CEM6659 | QS8J13



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor | k3563 transistor | 2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet | svt20240nt