Справочник MOSFET. MCAC20N15

 

MCAC20N15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCAC20N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm
   Тип корпуса: DFN5060
 

 Аналог (замена) для MCAC20N15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCAC20N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1543K  mcc
 mcac20n15.pdf pdf_icon

MCAC20N15

MCAC20N15Electrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 150 VIGSS VDS=0V, VGS =25VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=120V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 AVGS(th) VDS=VGS, ID=250AGate-Threshold Voltage 2

Другие MOSFET... 2N7002KWA , 2SK3019A , BSS138A , BSS138AKDW , BSS84A , BSS84KW , MCAC10H03 , MCAC16N03 , 5N50 , MCAC30N06Y , MCAC40N10YA , MCAC50N06Y , MCAC50N10Y , MCAC60N08Y , MCAC75N02 , MCAC80N045Y , MCB160N10Y .

History: 2SK520 | AFN8822 | BL4N150-W | IXFA80N25X3 | EMP21N03HC | MSD20N06 | SVG104R5NF

 

 
Back to Top

 


 
.