MCAC20N15 - описание и поиск аналогов

 

MCAC20N15. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MCAC20N15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm

Тип корпуса: DFN5060

Аналог (замена) для MCAC20N15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCAC20N15 даташит

 ..1. Size:1543K  mcc
 mcac20n15.pdf pdf_icon

MCAC20N15

MCAC20N15 Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 150 V IGSS VDS=0V, VGS = 25V Gate-Source Leakage Current 100 nA IDSS VDS=120V, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current 1 A VGS(th) VDS=VGS, ID=250 A Gate-Threshold Voltage 2

Другие MOSFET... 2N7002KWA , 2SK3019A , BSS138A , BSS138AKDW , BSS84A , BSS84KW , MCAC10H03 , MCAC16N03 , IRFP064N , MCAC30N06Y , MCAC40N10YA , MCAC50N06Y , MCAC50N10Y , MCAC60N08Y , MCAC75N02 , MCAC80N045Y , MCB160N10Y .

History: STD36P4LLF6 | STD13N50DM2AG | WMM28N50C4 | 3N45 | CS16N06AE-G | NTF5P03T3G | SIR422DP-T1-GE3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.