MCAC30N06Y Todos los transistores

 

MCAC30N06Y MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MCAC30N06Y
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 192 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5060
 

 Búsqueda de reemplazo de MCAC30N06Y MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MCAC30N06Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:920K  mcc
 mcac30n06y.pdf pdf_icon

MCAC30N06Y

MCAC30N06YElectrical Characteristics @ 25C (Unless OtherwiseSpecified)Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max UnitStatic ParameterV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 60 VVGS(th) VDS=VGS, ID=250A1.0 1.5 2.5 VGate-Threshold Voltage(Note 3)IGSSGate-Body Leakage VDS=0V, VGS=20V 100 nAIDSS VDS=60V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 A

 0.1. Size:920K  1
 mcac30n06y-tp.pdf pdf_icon

MCAC30N06Y

MCAC30N06YElectrical Characteristics @ 25C (Unless OtherwiseSpecified)Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max UnitStatic ParameterV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 60 VVGS(th) VDS=VGS, ID=250A1.0 1.5 2.5 VGate-Threshold Voltage(Note 3)IGSSGate-Body Leakage VDS=0V, VGS=20V 100 nAIDSS VDS=60V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 A

Otros transistores... 2SK3019A , BSS138A , BSS138AKDW , BSS84A , BSS84KW , MCAC10H03 , MCAC16N03 , MCAC20N15 , IRFP064N , MCAC40N10YA , MCAC50N06Y , MCAC50N10Y , MCAC60N08Y , MCAC75N02 , MCAC80N045Y , MCB160N10Y , MCG04N10A .

History: OSG60R108FZF | PHB96NQ03LT | P0765JD | BSD235C | WFW13N50 | 2N5398

 

 
Back to Top

 


 
.