MCAC30N06Y - описание и поиск аналогов

 

MCAC30N06Y. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MCAC30N06Y

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: DFN5060

Аналог (замена) для MCAC30N06Y

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCAC30N06Y даташит

 ..1. Size:920K  mcc
 mcac30n06y.pdf pdf_icon

MCAC30N06Y

MCAC30N06Y Electrical Characteristics @ 25 C (Unless OtherwiseSpecified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Static Parameter V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 60 V VGS(th) VDS=VGS, ID=250 A 1.0 1.5 2.5 V Gate-Threshold Voltage(Note 3) IGSS Gate-Body Leakage VDS=0V, VGS= 20V 100 nA IDSS VDS=60V, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current 1 A

 0.1. Size:920K  1
 mcac30n06y-tp.pdf pdf_icon

MCAC30N06Y

MCAC30N06Y Electrical Characteristics @ 25 C (Unless OtherwiseSpecified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Static Parameter V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 60 V VGS(th) VDS=VGS, ID=250 A 1.0 1.5 2.5 V Gate-Threshold Voltage(Note 3) IGSS Gate-Body Leakage VDS=0V, VGS= 20V 100 nA IDSS VDS=60V, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current 1 A

Другие MOSFET... 2SK3019A , BSS138A , BSS138AKDW , BSS84A , BSS84KW , MCAC10H03 , MCAC16N03 , MCAC20N15 , AO4468 , MCAC40N10YA , MCAC50N06Y , MCAC50N10Y , MCAC60N08Y , MCAC75N02 , MCAC80N045Y , MCB160N10Y , MCG04N10A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.