Справочник MOSFET. MCAC30N06Y

 

MCAC30N06Y Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCAC30N06Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DFN5060
 

 Аналог (замена) для MCAC30N06Y

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCAC30N06Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:920K  mcc
 mcac30n06y.pdf pdf_icon

MCAC30N06Y

MCAC30N06YElectrical Characteristics @ 25C (Unless OtherwiseSpecified)Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max UnitStatic ParameterV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 60 VVGS(th) VDS=VGS, ID=250A1.0 1.5 2.5 VGate-Threshold Voltage(Note 3)IGSSGate-Body Leakage VDS=0V, VGS=20V 100 nAIDSS VDS=60V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 A

 0.1. Size:920K  1
 mcac30n06y-tp.pdf pdf_icon

MCAC30N06Y

MCAC30N06YElectrical Characteristics @ 25C (Unless OtherwiseSpecified)Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max UnitStatic ParameterV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 60 VVGS(th) VDS=VGS, ID=250A1.0 1.5 2.5 VGate-Threshold Voltage(Note 3)IGSSGate-Body Leakage VDS=0V, VGS=20V 100 nAIDSS VDS=60V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 A

Другие MOSFET... 2SK3019A , BSS138A , BSS138AKDW , BSS84A , BSS84KW , MCAC10H03 , MCAC16N03 , MCAC20N15 , IRFP064N , MCAC40N10YA , MCAC50N06Y , MCAC50N10Y , MCAC60N08Y , MCAC75N02 , MCAC80N045Y , MCB160N10Y , MCG04N10A .

History: STW36NM60N | 2SK1328 | AP9565BGJ-HF

 

 
Back to Top

 


 
.