MCAC50N06Y MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MCAC50N06Y
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 691 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5060

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MCAC50N06Y

MCAC50N06Y Datasheet (PDF)

..1. Size:899K mcc
mcac50n06y.pdf

MCAC50N06YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 60 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=48V, VGS=0V, TJ=25CZero Gate Voltage Drain Current 1 AVGS(th) VDS=VGS, ID=250AGate-Threshol

0.1. Size:899K 1
mcac50n06y-tp.pdf

7.1. Size:677K 1
mcac50n10y-tp.pdf

MCAC50N10YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 100 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=80V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 AVGS(th) VDS=VGS, ID=250A1 2 3 VGate-Threshold

7.2. Size:677K mcc
mcac50n10y.pdf

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Liste

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