Справочник MOSFET. MCAC50N06Y

 

MCAC50N06Y Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCAC50N06Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 691 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: DFN5060
 

 Аналог (замена) для MCAC50N06Y

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCAC50N06Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:899K  mcc
 mcac50n06y.pdf pdf_icon

MCAC50N06Y

MCAC50N06YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 60 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=48V, VGS=0V, TJ=25CZero Gate Voltage Drain Current 1 AVGS(th) VDS=VGS, ID=250AGate-Threshol

 0.1. Size:899K  1
 mcac50n06y-tp.pdf pdf_icon

MCAC50N06Y

MCAC50N06YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 60 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=48V, VGS=0V, TJ=25CZero Gate Voltage Drain Current 1 AVGS(th) VDS=VGS, ID=250AGate-Threshol

 7.1. Size:677K  1
 mcac50n10y-tp.pdf pdf_icon

MCAC50N06Y

MCAC50N10YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 100 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=80V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 AVGS(th) VDS=VGS, ID=250A1 2 3 VGate-Threshold

 7.2. Size:677K  mcc
 mcac50n10y.pdf pdf_icon

MCAC50N06Y

MCAC50N10YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 100 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=80V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 AVGS(th) VDS=VGS, ID=250A1 2 3 VGate-Threshold

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSS138AKDW , BSS84A , BSS84KW , MCAC10H03 , MCAC16N03 , MCAC20N15 , MCAC30N06Y , MCAC40N10YA , IRFZ44N , MCAC50N10Y , MCAC60N08Y , MCAC75N02 , MCAC80N045Y , MCB160N10Y , MCG04N10A , MCG10P03 , MCG16N15 .

History: AOTF66919L | PHD66NQ03LT | IXTH34N65X2 | 2SK655 | AUIRFS3306 | PE5B1DZ | DMN6070SSD

 

 
Back to Top

 


 
.