MCG40N03 Todos los transistores

 

MCG40N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MCG40N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 20.8 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2 V

Carga de compuerta (Qg): 13 nC

Tiempo de elevación (tr): 55 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 587 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.007 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN3333

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MCG40N03 Datasheet (PDF)

0.1. mcg40n03.pdf Size:1199K _mcc

MCG40N03
MCG40N03

MCG40N03Features Split Gate Trench MOSFET Technology Low Thermal Resistance Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55C to +150

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