MCQ03N06 Todos los transistores

 

MCQ03N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MCQ03N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm

Encapsulados: SOP8

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MCQ03N06 datasheet

 ..1. Size:944K  mcc
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MCQ03N06

MCQ03N06 Features Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Dual Compliant. See Ordering Information) Advanced Trench MOSFET Process Technology N-Channel Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Power MOSFET Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Maximum Ratings Operating Junction Temperatu

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History: IXFH30N60P | HM4830 | FDZ197PZ | TSM70N10CP | HM4812 | BUK663R5-30C | SI3495DV

 

 

 

 

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