MCQ03N06 Todos los transistores

 

MCQ03N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MCQ03N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.7 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 60 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 1.4 V

Carga de compuerta (Qg): 6 nC

Tiempo de elevación (tr): 15 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 34 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.105 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOP8

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MCQ03N06 Datasheet (PDF)

0.1. mcq03n06.pdf Size:944K _mcc

MCQ03N06
MCQ03N06

MCQ03N06Features Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Dual Compliant. See Ordering Information) Advanced Trench MOSFET Process TechnologyN-Channel Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability RatingPower MOSFET Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"Maximum Ratings Operating Junction Temperatu

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