MCQ03N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MCQ03N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
Encapsulados: SOP8
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MCQ03N06 datasheet
mcq03n06.pdf
MCQ03N06 Features Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Dual Compliant. See Ordering Information) Advanced Trench MOSFET Process Technology N-Channel Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Power MOSFET Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Maximum Ratings Operating Junction Temperatu
Otros transistores... MCG30N03 , MCG30N03A , MCG40N03 , MCG50N03 , MCMN2012 , MCP07N65 , MCP20N70 , MCPF07N65 , IRF3710 , MCQ15N10B , MCQ15N10Y , MCQ4407 , MCQ4407B , MCQ4503A , MCQ4559 , MCQ4953 , MCQ6005 .
History: IXFH30N60P | HM4830 | FDZ197PZ | TSM70N10CP | HM4812 | BUK663R5-30C | SI3495DV
History: IXFH30N60P | HM4830 | FDZ197PZ | TSM70N10CP | HM4812 | BUK663R5-30C | SI3495DV
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Liste
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MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
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