MCQ15N10B Todos los transistores

 

MCQ15N10B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MCQ15N10B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 4 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 60.7 nC

Tiempo de elevación (tr): 8.6 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 560 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0095 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOP8

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MCQ15N10B Datasheet (PDF)

0.1. mcq15n10b.pdf Size:794K _mcc

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MCQ15N10BFeatures Low RDS(on) and FOMN-Channel Extremely Low Switching Loss Excellent Stability and Uniformity Fast Switching and Soft RecoveryEnhancement Mode Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1Field Effect Transistor Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P

6.1. mcq15n10y.pdf Size:1736K _mcc

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MCQ15N10YFeatures Split Gate Trench MOSFET Technology Low Gate Charge Halogen Free Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55C to +150C Storage Temperature Range: -55C to +150C

 

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