Справочник MOSFET. MCQ15N10B

 

MCQ15N10B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCQ15N10B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для MCQ15N10B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCQ15N10B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:794K  mcc
 mcq15n10b.pdf pdf_icon

MCQ15N10B

MCQ15N10BFeatures Low RDS(on) and FOMN-Channel Extremely Low Switching Loss Excellent Stability and Uniformity Fast Switching and Soft RecoveryEnhancement Mode Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1Field Effect Transistor Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P

 6.1. Size:1736K  mcc
 mcq15n10y.pdf pdf_icon

MCQ15N10B

MCQ15N10YFeatures Split Gate Trench MOSFET Technology Low Gate Charge Halogen Free Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55C to +150C Storage Temperature Range: -55C to +150C

Другие MOSFET... MCG30N03A , MCG40N03 , MCG50N03 , MCMN2012 , MCP07N65 , MCP20N70 , MCPF07N65 , MCQ03N06 , IRFB4227 , MCQ15N10Y , MCQ4407 , MCQ4407B , MCQ4503A , MCQ4559 , MCQ4953 , MCQ6005 , MCS2305B .

History: DMB54D0UDW | DMN2009USS | GSM3326WS | SFF250Z | DH100P30CF | IRFH7936PBF | 12N10L-TN3-R

 

 
Back to Top

 


 
.