MCQ15N10Y Todos los transistores

 

MCQ15N10Y MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MCQ15N10Y
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 341 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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MCQ15N10Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1736K  mcc
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MCQ15N10Y

MCQ15N10YFeatures Split Gate Trench MOSFET Technology Low Gate Charge Halogen Free Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55C to +150C Storage Temperature Range: -55C to +150C

 6.1. Size:794K  mcc
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MCQ15N10Y

MCQ15N10BFeatures Low RDS(on) and FOMN-Channel Extremely Low Switching Loss Excellent Stability and Uniformity Fast Switching and Soft RecoveryEnhancement Mode Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1Field Effect Transistor Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P

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History: 2SJ552 | WMK115N15HG4

 

 
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