MCQ15N10Y - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MCQ15N10Y
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 341 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для MCQ15N10Y
MCQ15N10Y Datasheet (PDF)
mcq15n10y.pdf
MCQ15N10YFeatures Split Gate Trench MOSFET Technology Low Gate Charge Halogen Free Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55C to +150C Storage Temperature Range: -55C to +150C
mcq15n10b.pdf
MCQ15N10BFeatures Low RDS(on) and FOMN-Channel Extremely Low Switching Loss Excellent Stability and Uniformity Fast Switching and Soft RecoveryEnhancement Mode Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1Field Effect Transistor Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P
Другие MOSFET... MCG40N03 , MCG50N03 , MCMN2012 , MCP07N65 , MCP20N70 , MCPF07N65 , MCQ03N06 , MCQ15N10B , P55NF06 , MCQ4407 , MCQ4407B , MCQ4503A , MCQ4559 , MCQ4953 , MCQ6005 , MCS2305B , MCT04N10 .
History: VBFB1102M | VBFB1208N
History: VBFB1102M | VBFB1208N
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM12T08C | AGM1099EL | AGM1095M | AGM628DM1 | AGM628D | AGM628AP | AGMH603H | AGMH6035D | AGMH6018C | AGMH12N10C | AGMH12H05H | AGMH10P15D | AGMH10P15C | AP60P02D | AP60N06F | AP60N04NF
Popular searches
2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet



