MCU12P10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MCU12P10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Encapsulados: TO252
Búsqueda de reemplazo de MCU12P10 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
MCU12P10 datasheet
mcu12p10.pdf
MCU12P10 Features Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Reliable and Rugged Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating P-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1 MOSFET Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering In
Otros transistores... MCQ6005 , MCS2305B , MCT04N10 , MCT04N15 , MCT04P06 , MCT06P10 , MCU05N60A , MCU09N20 , IRF4905 , MCU18N20 , MCU18P10 , MCU20N06 , MCU20N06A , MCU20N06B , MCU20N15 , MCU20P10 , MCU40N10 .
History: BSR302N | AFN4172WSS8
History: BSR302N | AFN4172WSS8
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor
