MCU12P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MCU12P10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MCU12P10 MOSFET
MCU12P10 Datasheet (PDF)
mcu12p10.pdf

MCU12P10Features Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Reliable and Rugged Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating P-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1MOSFET Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering In
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History: PJW1NA60A | AP95T07BGP | BSP296 | 10N60L-TQ2-T | WM03N01G | 3SK259 | 2SK2975
History: PJW1NA60A | AP95T07BGP | BSP296 | 10N60L-TQ2-T | WM03N01G | 3SK259 | 2SK2975



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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