MCU18N20 Todos los transistores

 

MCU18N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MCU18N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81.2 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: TO252

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MCU18N20 datasheet

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MCU18N20

MCU18N20 Features Fast Switching Improved dv/dt Capability Excellent Package for Good Heat Dissipation Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1 MOSFET Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) Maximum Rat

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MCU18N20

MCU18P10 Features High Density Cell Design for Ultra Low RDS(on) Advanced Trench Process Technology ESD Protection Rugged and Reliable P-CHANNEL Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating MOSFET Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant.

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History: 4N60KG-TF2-T | 2SK2052 | 2SK3574-S | STF7LN80K5

 

 

 

 

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