MCU18N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MCU18N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 65.8 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 17.7 nC
   Tiempo de subida (tr): 21.1 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 81.2 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MCU18N20

MCU18N20 Datasheet (PDF)

..1. Size:890K mcc
mcu18n20.pdf

MCU18N20Features Fast Switching Improved dv/dt Capability Excellent Package for Good Heat Dissipation Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1MOSFET Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Maximum Rat

9.1. Size:654K mcc
mcu18p10.pdf

MCU18P10Features High Density Cell Design for Ultra Low RDS(on) Advanced Trench Process Technology ESD Protection Rugged and ReliableP-CHANNEL Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability RatingMOSFET Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant.

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: