MCU18N20 Todos los transistores

 

MCU18N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MCU18N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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MCU18N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:890K  mcc
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MCU18N20

MCU18N20Features Fast Switching Improved dv/dt Capability Excellent Package for Good Heat Dissipation Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1MOSFET Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Maximum Rat

 9.1. Size:654K  mcc
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MCU18N20

MCU18P10Features High Density Cell Design for Ultra Low RDS(on) Advanced Trench Process Technology ESD Protection Rugged and ReliableP-CHANNEL Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability RatingMOSFET Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant.

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