MCU18N20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MCU18N20  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 81.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MCU18N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCU18N20 даташит

 ..1. Size:890K  mcc
 mcu18n20.pdf pdf_icon

MCU18N20

MCU18N20 Features Fast Switching Improved dv/dt Capability Excellent Package for Good Heat Dissipation Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1 MOSFET Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) Maximum Rat

 9.1. Size:654K  mcc
 mcu18p10.pdf pdf_icon

MCU18N20

MCU18P10 Features High Density Cell Design for Ultra Low RDS(on) Advanced Trench Process Technology ESD Protection Rugged and Reliable P-CHANNEL Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating MOSFET Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant.

Другие IGBT... MCS2305B, MCT04N10, MCT04N15, MCT04P06, MCT06P10, MCU05N60A, MCU09N20, MCU12P10, 2SK3878, MCU18P10, MCU20N06, MCU20N06A, MCU20N06B, MCU20N15, MCU20P10, MCU40N10, MCU60N04A