MCU18N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MCU18N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65.8 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 17.7 nC
Время нарастания (tr): 21.1 ns
Выходная емкость (Cd): 81.2 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO252
MCU18N20 Datasheet (PDF)
mcu18n20.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MCU18N20Features Fast Switching Improved dv/dt Capability Excellent Package for Good Heat Dissipation Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1MOSFET Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Maximum Rat
mcu18p10.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MCU18P10Features High Density Cell Design for Ultra Low RDS(on) Advanced Trench Process Technology ESD Protection Rugged and ReliableP-CHANNEL Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability RatingMOSFET Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant.
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .