MCU18P10 Todos los transistores

 

MCU18P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MCU18P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

MCU18P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:654K  mcc
 mcu18p10.pdf pdf_icon

MCU18P10

MCU18P10Features High Density Cell Design for Ultra Low RDS(on) Advanced Trench Process Technology ESD Protection Rugged and ReliableP-CHANNEL Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability RatingMOSFET Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant.

 9.1. Size:890K  mcc
 mcu18n20.pdf pdf_icon

MCU18P10

MCU18N20Features Fast Switching Improved dv/dt Capability Excellent Package for Good Heat Dissipation Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1MOSFET Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Maximum Rat

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History: TSA18N50MR | HITJ0203MP | SPP80P06PH | IRFPC42R | SSM60T03GP | SIHF9540S | FCPF165N65S3R0L

 

 
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