MCU60N04A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MCU60N04A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MCU60N04A MOSFET
MCU60N04A Datasheet (PDF)
mcu60n04a.pdf

MCU60N04AFeatures Low RDSon Low Gate Charge Split Gate Trench Power MV MOSFET technology Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability RatingN-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information)Maximum RatingsDPAK
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History: AP9576GM-HF | TSM5ND50CP | AM90P06-20P | IXFH96N15P | HY4N60D | FDMS8050ET30
History: AP9576GM-HF | TSM5ND50CP | AM90P06-20P | IXFH96N15P | HY4N60D | FDMS8050ET30



Liste
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