MCU60N04A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MCU60N04A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для MCU60N04A
MCU60N04A Datasheet (PDF)
mcu60n04a.pdf
MCU60N04AFeatures Low RDSon Low Gate Charge Split Gate Trench Power MV MOSFET technology Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability RatingN-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information)Maximum RatingsDPAK
Другие MOSFET... MCU18N20 , MCU18P10 , MCU20N06 , MCU20N06A , MCU20N06B , MCU20N15 , MCU20P10 , MCU40N10 , 13N50 , MCU80N06A , MSJAC11N65Y , MSJU11N65 , SI1012 , SI2101 , SI2310A , SI2310B , SI2312B .
History: 2SK1401A | MCU18N20
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134


