SIL2623 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIL2623
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23-6L
Búsqueda de reemplazo de SIL2623 MOSFET
SIL2623 Datasheet (PDF)
sil2623.pdf

SIL2623Features Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"Dual Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information)P-Channel MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55C to +150C Storage Temperature
Otros transistores... SI3415B , SI3420A , SIL03N10 , SIL05N06 , SIL2300 , SIL2301 , SIL2308 , SIL2322A , STF13NM60N , SIL3400A , SIL3415 , SIL3439K , SIL3724 , P1025HDB , P1825HDB , PA910BD , PK501BA .
History: APM1106K | HY6N60T | QM3014M3 | US5U3 | HFS10N65S | OSG80R300JF
History: APM1106K | HY6N60T | QM3014M3 | US5U3 | HFS10N65S | OSG80R300JF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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