SIL2623 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SIL2623
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SIL2623 Datasheet (PDF)
sil2623.pdf

SIL2623Features Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"Dual Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information)P-Channel MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55C to +150C Storage Temperature
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: HGN032NE4S | AP2306CGN-HF | SFF440Z | SM2690NSC | IRF7832 | BRCS350P04DP | HCD60R900
History: HGN032NE4S | AP2306CGN-HF | SFF440Z | SM2690NSC | IRF7832 | BRCS350P04DP | HCD60R900



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c