SIL3400A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIL3400A
Código: 3400A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 4.8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 7(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23-6L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIL3400A
SIL3400A Datasheet (PDF)
sil3400a.pdf
SIL3400AFeatures High Density Cell Design For Low RDS(ON) Exceptional On-Resistance and Maximum DC Current Capability Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1N-CHANNEL Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSMOSFETCompliant. See Ordering Information)
sil3415.pdf
SIL3415Features Excellent RDS(ON) Low Gate Charge,Low Gate Voltages Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"P-Channel MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Maximum Ratings Operating Junction Temperature Ran
sil3439k.pdf
SIL3439KFeatures Low RDS(on) Operated at Low Logic Level Gate Drive ESD Protected up to 3KV (HBM)Dual Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability RatingN&P-Channel Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Maxim
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Liste
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