PK501BA Todos los transistores

 

PK501BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PK501BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 452 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

 Búsqueda de reemplazo de PK501BA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PK501BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  1
 pk501ba.pdf pdf_icon

PK501BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK501BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PHalogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D-30V 7m -43A GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

 ..2. Size:211K  niko-sem
 pk501ba.pdf pdf_icon

PK501BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK501BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PHalogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D-30V 7m -43A GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Otros transistores... SIL2623 , SIL3400A , SIL3415 , SIL3439K , SIL3724 , P1025HDB , P1825HDB , PA910BD , AO3400A , PK537BA , PK650DY , PKCH2BB , BSS123LT1G , BVSS123LT1G , EFC2J004NUZ , EFC2J013NUZ , EFC2K101NUZ .

History: STFI9N60M2

 

 
Back to Top

 


 
.