PK501BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PK501BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 452 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PK501BA
PK501BA Datasheet (PDF)
pk501ba.pdf
P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK501BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PHalogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D-30V 7m -43A GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.
pk501ba.pdf
P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK501BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PHalogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D-30V 7m -43A GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.
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Liste
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