PK537BA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PK537BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 374 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
Búsqueda de reemplazo de PK537BA MOSFET
Principales características: PK537BA
pk537ba.pdf
P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK537BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free D D1 D1 D1 D1 PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G G GATE -30V 8m -38A D DRAIN S SOURCE #1 S1 S1 S1 G1 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V
pk537ba.pdf
P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK537BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free D D1 D1 D1 D1 PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G G GATE -30V 8m -38A D DRAIN S SOURCE #1 S1 S1 S1 G1 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V
Otros transistores... SIL3400A , SIL3415 , SIL3439K , SIL3724 , P1025HDB , P1825HDB , PA910BD , PK501BA , IRFB31N20D , PK650DY , PKCH2BB , BSS123LT1G , BVSS123LT1G , EFC2J004NUZ , EFC2J013NUZ , EFC2K101NUZ , EFC2K103NUZ .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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