Справочник MOSFET. PK537BA

 

PK537BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PK537BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 374 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
 

 Аналог (замена) для PK537BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK537BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:926K  1
 pk537ba.pdf pdf_icon

PK537BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK537BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PHalogen-Free & Lead-FreeDD1 D1 D1 D1PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID GG : GATE -30V 8m -38A D : DRAIN S : SOURCE #1 S1 S1 S1 G1SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS -30 V

 ..2. Size:926K  niko-sem
 pk537ba.pdf pdf_icon

PK537BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK537BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PHalogen-Free & Lead-FreeDD1 D1 D1 D1PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID GG : GATE -30V 8m -38A D : DRAIN S : SOURCE #1 S1 S1 S1 G1SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS -30 V

Другие MOSFET... SIL3400A , SIL3415 , SIL3439K , SIL3724 , P1025HDB , P1825HDB , PA910BD , PK501BA , IRF730 , PK650DY , PKCH2BB , BSS123LT1G , BVSS123LT1G , EFC2J004NUZ , EFC2J013NUZ , EFC2K101NUZ , EFC2K103NUZ .

History: TP2435 | TW1527SI | AP9970AGP-HF | HYG023N03LR1D | 2SK3755 | JCS4N90SA | MTM5N95

 

 
Back to Top

 


 
.