PK537BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PK537BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 374 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для PK537BA
PK537BA Datasheet (PDF)
pk537ba.pdf
P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK537BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PHalogen-Free & Lead-FreeDD1 D1 D1 D1PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID GG : GATE -30V 8m -38A D : DRAIN S : SOURCE #1 S1 S1 S1 G1SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS -30 V
pk537ba.pdf
P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK537BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PHalogen-Free & Lead-FreeDD1 D1 D1 D1PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID GG : GATE -30V 8m -38A D : DRAIN S : SOURCE #1 S1 S1 S1 G1SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS -30 V
Другие MOSFET... SIL3400A , SIL3415 , SIL3439K , SIL3724 , P1025HDB , P1825HDB , PA910BD , PK501BA , IRFZ46N , PK650DY , PKCH2BB , BSS123LT1G , BVSS123LT1G , EFC2J004NUZ , EFC2J013NUZ , EFC2K101NUZ , EFC2K103NUZ .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM042N10A | AGM03N85H | AGM038N10A | AGM035N10H | AGM035N10C | AGM035N10A | AGM028N08A | AGM025N13LL | AGM025N10C | AGM025N08H | AGM01T08LL | AGM01P15E | AGM01P15D | AGM01P15AP | AGM015N10LL | AGM30P85D
Popular searches
irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44



