PKCH2BB Todos los transistores

 

PKCH2BB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PKCH2BB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 5 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.35 V

Carga de compuerta (Qg): 128 nC

Tiempo de elevación (tr): 49 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1052 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.00099 Ohm

Empaquetado / Estuche: PDFN5X6P

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PKCH2BB Datasheet (PDF)

0.1. pkch2bb.pdf Size:266K _niko-sem

PKCH2BB
PKCH2BB

N-Channel Enhancement Mode PKCH2BB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID4 D30V 0.99m 229A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

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