PKCH2BB Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PKCH2BB  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1052 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00099 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6P

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PKCH2BB datasheet

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PKCH2BB

N-Channel Enhancement Mode PKCH2BB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID4 D 30V 0.99m 229A G Features S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

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PKCH2BB

N-Channel Enhancement Mode PKCH2BB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID4 D 30V 0.99m 229A G Features S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Otros transistores... SIL3439K, SIL3724, P1025HDB, P1825HDB, PA910BD, PK501BA, PK537BA, PK650DY, IRL3713, BSS123LT1G, BVSS123LT1G, EFC2J004NUZ, EFC2J013NUZ, EFC2K101NUZ, EFC2K103NUZ, EFC2K107NUZ, EFC3C001NUZ