Справочник MOSFET. PKCH2BB

 

PKCH2BB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PKCH2BB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1052 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00099 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
 

 Аналог (замена) для PKCH2BB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PKCH2BB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  1
 pkch2bb.pdf pdf_icon

PKCH2BB

N-Channel Enhancement Mode PKCH2BB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID4 D30V 0.99m 229A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

 ..2. Size:303K  niko-sem
 pkch2bb.pdf pdf_icon

PKCH2BB

N-Channel Enhancement Mode PKCH2BB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID4 D30V 0.99m 229A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие MOSFET... SIL3439K , SIL3724 , P1025HDB , P1825HDB , PA910BD , PK501BA , PK537BA , PK650DY , NCEP15T14 , BSS123LT1G , BVSS123LT1G , EFC2J004NUZ , EFC2J013NUZ , EFC2K101NUZ , EFC2K103NUZ , EFC2K107NUZ , EFC3C001NUZ .

History: VSP007N04MS-G | WMM10N60C4 | VBZL120N08 | BUK9K25-40E | STS8C6H3LL | UT2308 | NP15P06SLG

 

 
Back to Top

 


 
.