PKCH2BB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PKCH2BB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1052 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00099 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для PKCH2BB
PKCH2BB Datasheet (PDF)
pkch2bb.pdf
N-Channel Enhancement Mode PKCH2BB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID4 D30V 0.99m 229A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.
pkch2bb.pdf
N-Channel Enhancement Mode PKCH2BB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID4 D30V 0.99m 229A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.
Другие MOSFET... SIL3439K , SIL3724 , P1025HDB , P1825HDB , PA910BD , PK501BA , PK537BA , PK650DY , IRF1405 , BSS123LT1G , BVSS123LT1G , EFC2J004NUZ , EFC2J013NUZ , EFC2K101NUZ , EFC2K103NUZ , EFC2K107NUZ , EFC3C001NUZ .
History: SD5000N | STD2NM60T4
History: SD5000N | STD2NM60T4
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n



