BVSS123LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BVSS123LT1G
   Código: SA*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.6 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BVSS123LT1G

BVSS123LT1G Datasheet (PDF)

..1. Size:109K onsemi
bss123lt1g bvss123lt1g.pdf

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6.1. Size:105K onsemi
bvss123l.pdf

9.1. Size:101K onsemi
bvss138l.pdf

BSS138L, BVSS138LPower MOSFET200 mA, 50 VN-Channel SOT-23Typical applications are DC-DC converters, power management inhttp://onsemi.comportable and battery-powered products such as computers, printers,PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.200 mA, 50 VFeaturesRDS(on) = 3.5 W Low Threshold Voltage (VGS(th): 0.5 V-1.5 V) Makes it Ideal forN-ChannelLow Voltage

9.2. Size:70K onsemi
bss138l bvss138l.pdf

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