FCH104N60F-F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCH104N60F-F085
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 357 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 37 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 109 nC
Tiempo de subida (tr): 23 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 134 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.104 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FCH104N60F-F085
FCH104N60F-F085 Datasheet (PDF)
fch104n60f-f085.pdf
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November 2014FCH104N60F_F085N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET600 V, 37 A, 104 m DFeatures Typical RDS(on) = 91 m at VGS = 10 V, ID = 18.5 A Typical Qg(tot) = 109 nC at VGS = 10V, ID = 18.5 A UIS CapabilityG Qualified to AEC Q101G RoHS CompliantDTO-247SSDescription SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newForcurrentpackagedr
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