Справочник MOSFET. FCH104N60F-F085

 

FCH104N60F-F085 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCH104N60F-F085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 109 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 134 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.104 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCH104N60F-F085 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:998K  onsemi
 fch104n60f-f085.pdf pdf_icon

FCH104N60F-F085

FCH104N60F-F085N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V, 37 A, 104 mDFeatures Typical RDS(on) = 91 m at VGS = 10 V, ID = 18.5 A Typical Qg(tot) = 109 nC at VGS = 10V, ID = 18.5 A UIS CapabilityG Qualified to AEC Q101 RoHS Compliant GDTO-247SSDescription SuperFET II MOSFET is ON Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family tha

 4.1. Size:629K  fairchild semi
 fch104n60f f085.pdf pdf_icon

FCH104N60F-F085

November 2014FCH104N60F_F085N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET600 V, 37 A, 104 m DFeatures Typical RDS(on) = 91 m at VGS = 10 V, ID = 18.5 A Typical Qg(tot) = 109 nC at VGS = 10V, ID = 18.5 A UIS CapabilityG Qualified to AEC Q101G RoHS CompliantDTO-247SSDescription SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newForcurrentpackagedr

 4.2. Size:573K  fairchild semi
 fch104n60f.pdf pdf_icon

FCH104N60F-F085

December 2013FCH104N60FN-Channel SuperFET II FRFET MOSFET600 V, 37 A, 104 mFeatures Description 650 V @ TJ = 150C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 98 mcharge balance technology for outstanding low on-resistanceand lower gate charge performance. This techn

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FCB125N65S3 , FCB260N65S3 , FCD360N65S3R0 , FCD600N65S3R0 , FCH023N65S3 , FCH041N65F-F085 , FCH072N60F-F085 , FCH077N65F-F085 , 20N60 , FCH125N65S3R0 , FCHD040N65S3 , FCHD125N65S3R0 , FCHD190N65S3R0 , FCMT099N65S3 , FCMT125N65S3 , FCMT180N65S3 , FCMT250N65S3 .

History: SKI06073

 

 
Back to Top

 


 
.