STP3N100XI Todos los transistores

 

STP3N100XI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP3N100XI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT221
 

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STP3N100XI datasheet

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STP3N100XI

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STP3N100XI

STP3N100 STP3N100FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP3N100 1000 V

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STP3N100XI

STFW3N150, STH3N150-2 STP3N150, STW3N150 Datasheet N-channel 1500 V, 2.5 A, 6 typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 and TO247 packages Features TAB VDS RDS(on) max. ID PTOT Order codes 2 3 1 3 STFW3N150 63 W 2 2 H PAK-2 1 STH3N150-2 TO-3PF 1500 V 9 2.5 A STP3N150 140 W TAB STW3N150 3 3 100% avalanche tested 2 2 1 1 TO-220

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STP3N100XI

STFW3N150 STP3N150, STW3N150 N-channel 1500 V, 6 , 2.5 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-220, TO-247, TO-3PF Features RDS(on) Type VDSS ID PTOT max. STFW3N150 1500 V

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History: IXTV96N25T | FQP3N90

 

 
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