Справочник MOSFET. STP3N100XI

 

STP3N100XI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP3N100XI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT221
 

 Аналог (замена) для STP3N100XI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP3N100XI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  st
 stp3n100xi.pdf pdf_icon

STP3N100XI

 6.1. Size:366K  st
 stp3n100.pdf pdf_icon

STP3N100XI

STP3N100STP3N100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3N100 1000 V

 8.1. Size:672K  st
 stfw3n150 sth3n150-2 stp3n150 stw3n150.pdf pdf_icon

STP3N100XI

STFW3N150, STH3N150-2 STP3N150, STW3N150DatasheetN-channel 1500 V, 2.5 A, 6 typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 and TO247 packagesFeaturesTABVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codes23 1 3STFW3N150 63 W22H PAK-21STH3N150-2TO-3PF1500 V 9 2.5 ASTP3N150 140 WTABSTW3N15033 100% avalanche tested2 2 1 1 TO-220

 8.2. Size:759K  st
 stfw3n150 stp3n150 stw3n150.pdf pdf_icon

STP3N100XI

STFW3N150STP3N150, STW3N150N-channel 1500 V, 6 , 2.5 A, PowerMESH Power MOSFETin TO-220, TO-247, TO-3PFFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PTOTmax.STFW3N150 1500 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FX20VSJ-3

 

 
Back to Top

 


 
.