FDB070AN06A0-F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDB070AN06A0-F085
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 175 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 51 nC
Tiempo de subida (tr): 159 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 510 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDB070AN06A0-F085
FDB070AN06A0-F085 Datasheet (PDF)
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FDB070AN06A0-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m Features Applications r = 6.1m (Typ.), V = 10V, I = 80A DS(ON) GS D Motor / Body Load Control Q = 51nC (Typ.), V = 10V g(tot) GS ABS Systems Low Miller Charge Pow ertrain Management Low Q Body Diode RR Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive
fdb070an06a0 fdp070an06a0.pdf
March 2003FDB070AN06A0 / FDP070AN06A0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 80A, 7mFeatures Applications rDS(ON) = 6.1m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 51nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
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May 2012FDB070AN06A0_F085N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 80A, 7mFeatures Applications rDS(ON) = 6.1m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 51nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC c
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