FDB070AN06A0-F085 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDB070AN06A0-F085
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 175 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 51 nC
Время нарастания (tr): 159 ns
Выходная емкость (Cd): 510 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO263AB
Аналог (замена) для FDB070AN06A0-F085
FDB070AN06A0-F085 Datasheet (PDF)
fdb070an06a0-f085.pdf
FDB070AN06A0-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m Features Applications r = 6.1m (Typ.), V = 10V, I = 80A DS(ON) GS D Motor / Body Load Control Q = 51nC (Typ.), V = 10V g(tot) GS ABS Systems Low Miller Charge Pow ertrain Management Low Q Body Diode RR Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive
fdb070an06a0 fdp070an06a0.pdf
March 2003FDB070AN06A0 / FDP070AN06A0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 80A, 7mFeatures Applications rDS(ON) = 6.1m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 51nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
fdb070an06 f085.pdf
May 2012FDB070AN06A0_F085N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 80A, 7mFeatures Applications rDS(ON) = 6.1m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 51nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC c
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
