FDB3632-F085 Todos los transistores

 

FDB3632-F085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDB3632-F085

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 820 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO263AB

 Búsqueda de reemplazo de FDB3632-F085 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FDB3632-F085 datasheet

 ..1. Size:1298K  onsemi
fdb3632-f085.pdf pdf_icon

FDB3632-F085

FDB3632-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET Applications 100V, 80A, 9m DC/DC converters and Off-Line UPS Features Distributed Power Architectures and VRMs rDS(ON) = 7.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Primary Switch for 24V and 48V Systems Qg(tot) = 84nC (Typ.), VGS = 10V High Voltage Synchronous Rectifier Low Miller Charge Low QRR Body Diode

 7.1. Size:484K  fairchild semi
fdb3632 f085.pdf pdf_icon

FDB3632-F085

March 2012 FDB3632_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9m Features Applications rDS(ON) = 7.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 84nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage Synchronous Recti

 7.2. Size:656K  fairchild semi
fdb3632 fdp3632 fdi3632 fdh3632.pdf pdf_icon

FDB3632-F085

December 2008 FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 / FDH3632 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9m Features Applications rDS(ON) = 7.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 84nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode Hi

 7.3. Size:860K  onsemi
fdh3632 fdp3632 fdb3632.pdf pdf_icon

FDB3632-F085

MOSFET Power, N-Channel, POWERTRENCH) 100 V, 80 A, 9 mW FDH3632, FDP3632, FDB3632 www.onsemi.com Features RDS(ON) = 7.5 mW (Typ.), VGS = 10 V, ID = 80 A Qg (tot) = 84 nC (Typ.), VGS = 10 V VDSS RDS(ON) MAX ID MAX Low Miller Charge 100 V 9 mW 80 A Low Qrr Body Diode UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) D These Devices are Pb-Free and are R

Otros transistores... FDB0690N1507L , FDB070AN06A0-F085 , FDB075N15A-F085 , FDB14AN06LA0-F085 , FDB1D7N10CL7 , FDB2532-F085 , FDB2552_F085 , FDB28N30 , IRF530 , FDB3652-F085 , FDB3672-F085 , FDB86360-F085 , FDB86363-F085 , FDB86366-F085 , FDB86563-F085 , FDB86566-F085 , FDB86569-F085 .

 

 

 


🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10

 

 

 

Popular searches

irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet

 

 

↑ Back to Top
.