FDB3632-F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDB3632-F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 84 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 820 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDB3632-F085

FDB3632-F085 Datasheet (PDF)

..1. Size:1298K onsemi
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FDB3632-F085N-Channel PowerTrench MOSFET Applications100V, 80A, 9m DC/DC converters and Off-Line UPSFeatures Distributed Power Architectures and VRMs rDS(ON) = 7.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Primary Switch for 24V and 48V Systems Qg(tot) = 84nC (Typ.), VGS = 10V High Voltage Synchronous Rectifier Low Miller Charge Low QRR Body Diode

7.1. Size:484K fairchild semi
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March 2012FDB3632_F085N-Channel PowerTrench MOSFET100V, 80A, 9mFeatures Applications rDS(ON) = 7.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 84nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage Synchronous Recti

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December 2008FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 / FDH3632N-Channel PowerTrench MOSFET100V, 80A, 9mFeatures Applications rDS(ON) = 7.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 84nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode Hi

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MOSFET Power, N-Channel,POWERTRENCH)100 V, 80 A, 9 mWFDH3632, FDP3632,FDB3632www.onsemi.comFeatures RDS(ON) = 7.5 mW (Typ.), VGS = 10 V, ID = 80 A Qg (tot) = 84 nC (Typ.), VGS = 10 VVDSS RDS(ON) MAX ID MAX Low Miller Charge100 V 9 mW 80 A Low Qrr Body Diode UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)D These Devices are Pb-Free and are R

7.4. Size:277K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor FDB3632FEATURESWith TO-263 packagingDrain Source Voltage-: V 100VDSSStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 9m@V =10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: