FDB3652-F085 Todos los transistores

 

FDB3652-F085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDB3652-F085

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO263AB

 Búsqueda de reemplazo de FDB3652-F085 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FDB3652-F085 datasheet

 ..1. Size:408K  onsemi
fdb3652-f085.pdf pdf_icon

FDB3652-F085

FDB3652-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET Applications 100V, 61A, 16m DC/DC Converters and Off-line UPS Features Distributed Power Architectures and VRMs rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A Primary Switch for 24V and 48V Systems Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V High Voltage Synchronous Rectifier Low Miller Charge Direct Injection / Dies

 7.1. Size:590K  fairchild semi
fdb3652 fdp3652.pdf pdf_icon

FDB3652-F085

October 2013 FDP3652 / FDB3652 N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 61 A, 16 m Applications Features rDS(on) = 14 m ( Typ.), VGS = 10 V, ID = 61 A Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU Battery Protection Circuit Qg(tot) = 41 nC ( Typ.), VGS = 10 V Low Miller Charge Motor drives and Uninterruptible Power Supplies Low QRR Body Diode

 7.2. Size:471K  fairchild semi
fdb3652 f085.pdf pdf_icon

FDB3652-F085

October 2008 FDB3652_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16m Features Applications rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A DC/DC Converters and Off-line UPS Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage Synchronous Rectif

 7.3. Size:263K  fairchild semi
fdb3652 fdp3652 fdi3652.pdf pdf_icon

FDB3652-F085

October 2003 FDB3652 / FDP3652 / FDI3652 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16m Features Applications rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A DC/DC Converters and Off-line UPS Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage Syn

Otros transistores... FDB070AN06A0-F085 , FDB075N15A-F085 , FDB14AN06LA0-F085 , FDB1D7N10CL7 , FDB2532-F085 , FDB2552_F085 , FDB28N30 , FDB3632-F085 , CS150N03A8 , FDB3672-F085 , FDB86360-F085 , FDB86363-F085 , FDB86366-F085 , FDB86563-F085 , FDB86566-F085 , FDB86569-F085 , FDB9403-F085 .

History: RXH070N03 | NCEP1570

 

 

 


History: RXH070N03 | NCEP1570

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10

 

 

 

Popular searches

ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260

 

 

↑ Back to Top
.