FDB3652-F085 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FDB3652-F085
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: TO263AB
Аналог (замена) для FDB3652-F085
FDB3652-F085 Datasheet (PDF)
fdb3652-f085.pdf

FDB3652-F085N-Channel PowerTrench MOSFET Applications100V, 61A, 16m DC/DC Converters and Off-line UPSFeatures Distributed Power Architectures and VRMs rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A Primary Switch for 24V and 48V Systems Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V High Voltage Synchronous Rectifier Low Miller Charge Direct Injection / Dies
fdb3652 fdp3652.pdf

October 2013FDP3652 / FDB3652N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 61 A, 16 mApplicationsFeatures rDS(on) = 14 m ( Typ.), VGS = 10 V, ID = 61 A Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU Battery Protection Circuit Qg(tot) = 41 nC ( Typ.), VGS = 10 V Low Miller Charge Motor drives and Uninterruptible Power Supplies Low QRR Body Diode
fdb3652 f085.pdf

October 2008FDB3652_F085N-Channel PowerTrench MOSFET100V, 61A, 16mFeatures Applications rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A DC/DC Converters and Off-line UPS Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage Synchronous Rectif
fdb3652 fdp3652 fdi3652.pdf

October 2003FDB3652 / FDP3652 / FDI3652N-Channel PowerTrench MOSFET100V, 61A, 16mFeatures Applications rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A DC/DC Converters and Off-line UPS Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage Syn
Другие MOSFET... FDB070AN06A0-F085 , FDB075N15A-F085 , FDB14AN06LA0-F085 , FDB1D7N10CL7 , FDB2532-F085 , FDB2552_F085 , FDB28N30 , FDB3632-F085 , IRLB4132 , FDB3672-F085 , FDB86360-F085 , FDB86363-F085 , FDB86366-F085 , FDB86563-F085 , FDB86566-F085 , FDB86569-F085 , FDB9403-F085 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260