FDB86360-F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDB86360-F085
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 207 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 197 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4700 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de FDB86360-F085 MOSFET
FDB86360-F085 Datasheet (PDF)
fdb86360-f085.pdf

FDB86360-F085N-Channel Power Trench MOSFET80V, 110A, 1.8mFeatures Typ rDS(on) = 1.5m at VGS = 10V, ID = 80AG Typ Qg(tot) = 207nC at VGS = 10V, ID = 80AGS UIS Capability RoHS CompliantTO-263S Qualified to AEC Q101FDB SERIESApplications Automotive Engine Control Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Integrated Starter/alternator Primar
fdb86360 f085.pdf

January 2014FDB86360_F085N-Channel Power Trench MOSFETDD80V, 110A, 1.8m Features Typ rDS(on) = 1.5m at VGS = 10V, ID = 80A G Typ Qg(tot) = 207nC at VGS = 10V, ID = 80AGS UIS Capability RoHS CompliantTO-263S Qualified to AEC Q101FDB SERIESApplications Forcurrentpackagedrawing,pleaserefertotheFairchildwebsiteatwww.fairchildsemi.c
fdb86366 f085.pdf

December 2014FDB86366_F085N-Channel PowerTrench MOSFET80 V, 110 A, 3.6 m Features Typical RDS(on) = 2.8 m at VGS = 10V, ID = 80 A DD Typical Qg(tot) = 86 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101GApplications GS Automotive Engine ControlTO-263S PowerTrain ManagementFDB SERIES Solenoid and Motor Drivers In
fdb86363 f085.pdf

June 2014FDB86363_F085N-Channel PowerTrench MOSFETDD80 V, 110 A, 2.4 m Features Typical RDS(on) = 2.0 m at VGS = 10V, ID = 80 A G Typical Qg(tot) = 131 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability GS RoHS CompliantTO-263S Qualified to AEC Q101FDB SERIESApplications Forcurrentpackagedrawing,pleaserefertotheFairchild Automotive Engine Co
Otros transistores... FDB14AN06LA0-F085 , FDB1D7N10CL7 , FDB2532-F085 , FDB2552_F085 , FDB28N30 , FDB3632-F085 , FDB3652-F085 , FDB3672-F085 , IRFP250 , FDB86363-F085 , FDB86366-F085 , FDB86563-F085 , FDB86566-F085 , FDB86569-F085 , FDB9403-F085 , FDB9403L-F085 , FDB9406-F085 .
History: STI32N65M5 | SWD7N60K2F
History: STI32N65M5 | SWD7N60K2F



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ | JMPL0648AU | JMPL0648AK | JMPL0648AG | JMPL0625AP | JMPL0622AK | JMSL0302PU | JMSL0302PG2 | JMSL0302DG | JMSL0302BU | JMSL0302AK | JMSL0301TG | JMSL0301AG | JMSH2010PTL
Popular searches
irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773