FDBL0240N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDBL0240N100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 210 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 79 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1235 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
   Paquete / Cubierta: MO-299A

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDBL0240N100

FDBL0240N100 Datasheet (PDF)

..1. Size:520K onsemi
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8.1. Size:379K fairchild semi
fdbl0210n80.pdf

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8.2. Size:626K onsemi
fdbl0260n100.pdf

8.3. Size:561K onsemi
fdbl0200n100.pdf

MOSFET N-Channel,POWERTRENCH)100 V, 300 A, 2.0 mWFDBL0200N100Featureswww.onsemi.com Typical RDS(on) = 1.5 mW at VGS = 10 V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 95 nC at VGS = 10 V, ID = 80 AVDSS RDS(ON) MAX ID MAX UIS Capability100 V 2.0 mW @ 10 V 300 A This Device is Pb-Free and is RoHS CompliantApplications Industrial Motor Drive Industrial Power Supp

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Liste

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