PMCXB900UEL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMCXB900UEL
Código: B110
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.265 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.95 V
Carga de la puerta (Qg): 0.4 nC
Tiempo de subida (tr): 9.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 5.4 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.62 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT1216
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMCXB900UEL
PMCXB900UEL Datasheet (PDF)
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PMCXB1000UE30 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET27 June 2016 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultrasmall DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very low threshold v
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Liste
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