Справочник MOSFET. PMCXB900UEL

 

PMCXB900UEL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMCXB900UEL
   Маркировка: B110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.265 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.95 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.4 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm
   Тип корпуса: SOT1216

 Аналог (замена) для PMCXB900UEL

 

 

PMCXB900UEL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:795K  nxp
 pmcxb900uel.pdf

PMCXB900UEL PMCXB900UEL

PMCXB900UEL20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET28 June 2016 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in aleadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low leakage current Trench MOSFET technology

 4.1. Size:312K  nxp
 pmcxb900ue.pdf

PMCXB900UEL PMCXB900UEL

PMCXB900UE20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET30 June 2015 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in aleadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very low threshold vo

 9.1. Size:775K  nxp
 pmcxb1000ue.pdf

PMCXB900UEL PMCXB900UEL

PMCXB1000UE30 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET27 June 2016 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultrasmall DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very low threshold v

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top