Справочник MOSFET. PMCXB900UEL

 

PMCXB900UEL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMCXB900UEL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.265 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm
   Тип корпуса: SOT1216
 

 Аналог (замена) для PMCXB900UEL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMCXB900UEL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:795K  nxp
 pmcxb900uel.pdf pdf_icon

PMCXB900UEL

PMCXB900UEL20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET28 June 2016 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in aleadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low leakage current Trench MOSFET technology

 4.1. Size:312K  nxp
 pmcxb900ue.pdf pdf_icon

PMCXB900UEL

PMCXB900UE20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET30 June 2015 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in aleadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very low threshold vo

 9.1. Size:775K  nxp
 pmcxb1000ue.pdf pdf_icon

PMCXB900UEL

PMCXB1000UE30 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET27 June 2016 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultrasmall DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very low threshold v

Другие MOSFET... PMCM4401UPE , PMCM4402UPE , PMCM6501UNE , PMCM6501UPE , PMCM6501VNE , PMCM650CUNE , PMCM950ENE , PMCXB1000UE , SKD502T , PMDPB56XNEA , PMDPB95XNE2 , PMDXB600UNEL , PMDXB950UPEL , PMF250XNE , PMF63UNE , PMH1200UPE , PMH950UPE .

History: SIHFIZ48G | APT50M60JVFR | FXN40N03C | MTD300N20J3

 

 
Back to Top

 


 
.