STP50N05LFI Todos los transistores

 

STP50N05LFI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP50N05LFI

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 550 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm

Encapsulados: ISOWATT220

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STP50N05LFI datasheet

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STP50N05LFI

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STP50N05LFI

STP50N06L STP50N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP50N06L 60 V

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STP50N05LFI

STP50N06 STP50N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP50N06 60 V

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STP50N05LFI

STP50N06 STP50N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP50N06 60 V

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History: STP4NA80FI | FQU13N06L | FDPF085N10A | STP50N05L

 

 

 


 
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