PMPB30XPE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PMPB30XPE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 184 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT1220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMPB30XPE

PMPB30XPE Datasheet (PDF)

..1. Size:300K nxp
pmpb30xpe.pdf

PMPB30XPE20 V, P-channel Trench MOSFET26 April 2018 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Small and leadless ultra thin SMD pl

9.1. Size:228K nxp
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PMPB33XN30 V single N-channel Trench MOSFET6 July 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching S

9.2. Size:243K nxp
pmpb33xp.pdf

PMPB33XP20 V, single P-channel Trench MOSFET5 September 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless u

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Liste

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