PMPB8XN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMPB8XN 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 224 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Encapsulados: SOT1220
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de PMPB8XN MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
PMPB8XN datasheet
pmpb85enea.pdf
PMPB85ENEA 60 V, single N-channel Trench MOSFET 19 December 2013 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless ultra thin SMD plasti
Otros transistores... PMPB29XNEA, PMPB29XPEA, PMPB30XPE, PMPB43XPEA, PMPB48EPA, PMPB50ENE, PMPB55ENEA, PMPB55XNEA, 8205A, PMT200EPE, PMT280ENEA, PMT560ENEA, PMV100ENEA, PMV100XPEA, PMV15ENEA, PMV15UNEA, PMV164ENEA
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor
