PMPB8XN Todos los transistores

 

PMPB8XN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMPB8XN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 224 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT1220
 

 Búsqueda de reemplazo de PMPB8XN MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PMPB8XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  nxp
 pmpb8xn.pdf pdf_icon

PMPB8XN

PMPB8XN20 V, N-channel Trench MOSFET24 September 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Low threshold voltage Trench MOSFET technology

 9.1. Size:240K  nxp
 pmpb85enea.pdf pdf_icon

PMPB8XN

PMPB85ENEA60 V, single N-channel Trench MOSFET19 December 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless ultra thin SMD plasti

Otros transistores... PMPB29XNEA , PMPB29XPEA , PMPB30XPE , PMPB43XPEA , PMPB48EPA , PMPB50ENE , PMPB55ENEA , PMPB55XNEA , 2SK3878 , PMT200EPE , PMT280ENEA , PMT560ENEA , PMV100ENEA , PMV100XPEA , PMV15ENEA , PMV15UNEA , PMV164ENEA .

History: FQB9N25TM | SPP80N05L | FDM100-0045SP | FMV10N80E | LSGE10R080W3 | HUF75831SK8T | TD422BL

 

 
Back to Top

 


 
.