STP53N05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP53N05
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP53N05

STP53N05 Datasheet (PDF)

..1. Size:306K st
stp53n05.pdf

7.1. Size:315K st
stp53n06.pdf

7.2. Size:77K st
stp53n08.pdf

STP53N08N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP53N08 80 V

9.1. Size:165K st
2stp535fp.pdf

2STP535FPNPN power Darlington transistorFeatures Monolithic Darlington transistor with integrated antiparallel collector-emitter diode Very high DC current gainApplications3 Electronic ignition21 AC-DC motor controlTO-220FP Alternator regulatorDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe 2STP535FP is a planar NPN power transistor in monolit

9.2. Size:189K inchange semiconductor
2stp535fp.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2STP535FPDESCRIPTIONWith TO-220F packagingVery high DC current gainMonolithic darlington transistor with integratedantiparallel collector-emitter diodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAC-DC motor controlElectronic ignitionAlternator

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: